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张应变量相关论文
张应变对Ge迁移率的改善
随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工......
会议
集成电路
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锗材料
迁移率
张应变量
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DFB激光器高频特性实验研究
基于AlGaInAs InP张应变多量子阱材料,所制作DFB激光器具有高的直接调制速率的特点.通过测试不同腔长条件下温度对小信号频率响应......
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张应变量
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