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微管道缺陷相关论文

3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75 mm)半绝缘4H-SiC衬......

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3英寸(75 mm) 4H-SiC 电阻率微管道缺陷半高宽

SiC晶体生长和应用

介绍了作为半导体材料应用的ＳｉＣ的主要性能、晶体生长研究进展及器件研制现状。...

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SiC 晶体生长微管道缺陷

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