利用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统进行了Ｓｉ〈，１－Ｘ〉Ｇｅ〈，ｘ〉／Ｓｉ外延，分别用二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）和ＳＳＭ－１５０型扩展电阻仪测量了其过渡层，并用扩散理论进行了分析。......