研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化......

1半导体硅材料在国民经济中的意义在全球信息化和经济全球化的进程中,以通信业、计算机业、网络业、家电业为代表的信息技术,获得......

研究了掺砷多晶硅发射极ＲＣＡ晶体管的工艺实验技术，以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础，在淀积发射极多晶硅之前，用ＲＣＡ氧化的方法制备了一......

通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的拉制工艺，轩出无位错的φ１００ｍｍ单，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒......

绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着......