敏感放大器相关论文
在当代计算机系统中，处理器速度远远高于存储器的速度。Cache技术是提高数据访问性能的经典技术，做为它们二者之间的重要的桥梁，已经......
采用Chartered0.35μmEEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EE PROM存储器.芯片实现了块编程和擦写......
在大容量SRAM存储器中,敏感放大器成为影响SRAM读出数据的关键.本文对传统锁存式敏感放大器进行研究,提出了一种65nm工艺下带漏流......
本文设计了一款抗辐照ROM,完成了该ROM结构中的预充、译码、敏感放大器、控制电路等部件的电路设计,并从高性能低功耗的角度进行了......
敏感放大器是存储器中最重要的外围电路之一,对于提高存储器的性能有重要影响.本文对当前存储器设计中三种主要敏感放大器进行了分......
本文设计了512×8 SRAM（静态随机读写存储器），设计基于UMC 0.35工艺，地址取数时间小于6ns。由于所设计的SRAM作为嵌入式IP模块应用，因此......
该电路有即数字部分也有模拟部分,因而采取全定制方式设计.该芯片只有一根数据线,没有时钟信号,因此研究的关键是在单线的数据传输......
提出了一种容量可变的嵌入式同步ＳＲＡＭ。通过采用存储阵列的分块、敏感放大器的分级等技术，对电路的结构进行了优化。着重讨论了存储阵列......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向......
设计了一种深亚微米,单片集成的512 K(16 K×32位)高速静态存储器(SRAM).该存储器可以作为IP核集成在片上系统中.存储器采用六......
采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写......
本文提出了一种高速低功耗存储读写控制电路。该电路采用锁存器型敏感放大器,并将敏感放大器输入与存储器位线通过隔离电路互联,通......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签，采用SMIC0．18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器．存储器单元基于双向Fowl......
伴随着SOC设计方法发展,人们越来越重视基于IP核复用的设计,同时业界对于可复用的IP核的需求越来越强烈。微处理器和众多电子产品......
随着半导体工艺不断等比例缩小,嵌入式存储器在SoC中所占的比重将逐渐增加。到2010年,大约90%的晶圆面积都将被不同功能的存储器所......
