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施主束缚激子相关论文

基于PL谱对GaN材料高密度激子发光机理的研究

GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2eV到0.7eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外......

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Ⅲ族氮化物 PL谱 GaN薄膜施主束缚激子自由激子 InGaN/GaN纳米柱量子阱非平衡载流子

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