晶场效应相关论文
基于点电荷的晶场理论模型,通过对O.Zaharko等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Cu4Sn4和Ce3Cu4Ge4的晶场分......
近年来，人们之所以对掺杂的钙钛矿型锰氧化物R1-xAxMnO3(其中R为三价稀土离子，如La3+、Pr3+、Nd3+等，A为二价碱土金属离子，如Ca2+、Sr2......
晶场理论表明，稀土化合物中稀土离子的磁各向异性主要来源于晶体电场作用，即晶体中局域可电子磁矩受到周围离子或原子的电场作用后，将......
通过模拟G．F．Chen小组和Heying小组测量的磁化率实验结果，得到了含铈稀土化合物CeRh2Ga和CeIrSi的晶场分裂能和相应波函数，计算结果表......
通过对D．Kaczorowski等人磁化率倒数-温度曲线的模拟，得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的品场系数、分裂能和相应波函数，计算结......
基于晶场理论,通过对Chen测量的稀土化合物RPt2In2（R=Ce,Pr,Nd）磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了RPt2In2的晶场系数、分裂能和相应......
本文利用离散路径积分表示与两自旋集团近似相结合的方法，研究了在弱横场作用下具有混合自 的伊辛模型的晶场效应，得到了系统的自由......
采用点电荷晶场理论模型,通过对Ce1-xYxPt2Si2（x=0.2,0.55,0.9）磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了其晶场分裂能和相应波函数,计算表......
基于点电荷的晶场理论模型,通过对O.Zaharko等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Cu4Sn4和Ce3Cu4Ge4的晶场分......
基于晶场理论，通过对Hermes等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟，得到了稀土化合物ReRhZn（Re=Ce，Pr，Nd）的晶场系数、晶场分裂能和相应波......
根据晶场理论，通过对Kaczorowski研究小组磁化率倒数与温度关系曲线的模拟，得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的晶场分裂能和相......
通过对磁化率的模拟，研究了晶场效应对Ce2CuxNi1-xGe6磁性的影响，得到了该系列化合物的分裂能和相应波函数．计算表明，Ce^3＋六重基态在晶......
采用点电荷晶场理论模型，通过模拟W．D．Hutehison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线，得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂......
基于晶场理论，采用点电荷模型，通过模拟3种不同晶系含Pr化合物PrPtAl，Pr2Pt2In2和Pr2Ge2In的磁化率倒数-温度关系曲线，得到各自的晶场......
采用点电荷晶场模型，通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数一温度曲线，得到了Nd^3＋的各级分裂能和相应波函数，并分析......
在晶场理论和分子场理论的基础上,通过模拟Taiki Ueda和M.S.Kim等人测量的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeRhGe和CeRhSn的晶场......
通过模拟Kitazawa小组的磁化率实验结果，得到了稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场分裂能和相应波函数．计算表明，Kramers离子Ce^3＋在晶场......
合成了掺Eu~(2+)的单一氟化物五种和复合氟化物六种;研究了Eu~(2+)在基质中的跃迁发射随晶场、化学键性质变化的规律,在一些低配位......
通常晶体电场的计算中只出现偶次项。这是只用到量子力学的一级微扰的缘故。本文通过二级微扰的计算,写出了晶场效应的奇次项。......
通过对A．Szytula小组测量的稀土化合物PrAg2Ge2磁化率倒数-温度曲线的晶场模拟，得到了PrAg2Ge2的分裂能和相应波函数．并从理论上分析......
采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究.结果表明,杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合.MnO为电荷转移绝缘体,采......
基于晶场理论,模拟SzytuΙa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeCuIn,PrCuIn的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子......
本文分析了晶场对稀土离子的影响,考虑了J混效应引起的能级位移,具体计算了20个含Eu~(3+)离子的晶体中Eu~(3+)离子的slater参数,并......
采用结晶场参数拟合的方法对Sereni研究小组的CePd1-xRhx（x=0.65,0.70,0.80,0.87）样品的磁化率实验结果进行了计算模拟.结果表明：x=0.......
基于晶场理论和分子场理论，采用点电荷晶场模型，通过模拟Zaremba小组的磁化率实验结果，得到了稀土化合物RE2Ge2In（RE=Ce，Pr,Nd）的晶场分......
基于晶场理论,通过模拟三种相同晶系化合物CePdGa3、Ce3Ag4Ge4和Ce3Ag4Sn4的磁化率倒数-温度曲线,得到了晶场分裂能和相应波函数,......
利用离散路径积分表示与两自旋集团近似相结合的方法，研究了在弱横场作用下具有自旋为１的Ｉ（ｓｉｎｇ）模型的晶场效应，得到了系统的自由能和临界横......
通过模拟Marian Mihalik、Piku和Huo测量的Ce5Ni2Si3、CeNiGe3和Ce2NiGe3的磁化率倒数一温度曲线来计算稀土化合物的晶场系数、分......
<正> 一、电路故障的成因 通常,由于空气的污染和设备所处的环境及管理条件不同,空气中的灰尘、油污、酸碱及其气体、盐分、潮气、......
