晶格失配度相关论文
单晶半导体纳米结构、贵金属纳米晶，因为尺寸、形貌的不同，具有可调的能带结构、荧光、表面等离子体共振(SPR)等光电性质。那么，集成......
ScAlMgO4是一种优秀的外延衬底材料,与ZnO、GaN的晶格失配度很小,可以减少薄膜中的位错等缺陷,显著提高薄膜的光学和电学性能,......
采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、S......
MgAl2O4是一类非磁性尖晶石结构的材料,不仅与常用的铁磁金属电极的晶格失配度很小,而且具有类似于MgO势垒类似的复能带特性,即对......
该论文利用MBE技术制备了高质量InP基InGaAs/InAlAs量子级联激光器材料,通过X射线双晶衍射、透射电镜和子带间吸收谱等实验手段深......
Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评......
从20世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度可见光发光二极管(LED)的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度L......
用固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5Ti03靶材,采用在LaA103 (100)衬底上PLD法制备Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜的最佳条件(村底温度760℃,生长氧......
单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,......
用固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3靶材,采用在LaAl03(100)衬底上PLD法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的最佳条件(衬底温度760℃,生长氧压......
采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法,研究Si(001)和Ge(001)衬底上的应变Ge1-yCy合金,其带隙随碳含量和晶格失配度......
单晶半导体纳米结构、贵金属纳米晶,因为尺寸、形貌的不同,具有可调的能带结构、荧光、表面等离子体共振(SPR)等光电性质。那么,集......
概括论述了铱的特点和纯铱在室温条件下脆性断裂的几种可能机制,说明了纯铱在超高温应用领域存在的问题;系统地综述了世界各国在铱......
比较了晶格失配度的各种定义,建议统一使用同一定义。采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配......
在传统氟盐法工艺的基础上,利用电磁场作用下合金化处理、旋转除气及高效过滤等技术,提出了一种制备高洁净度Al-5Ti-1B晶粒细化剂......
