本征光电导相关论文
在固态量子探测器中,铅盐类只能在4微米的波长之內工作,锗掺杂类(金、汞、鎘、铜、锌)则可把有效灵敏度扩展到40微米,但是为了降......
在低于固相线温度下,利用密封容器热处理碲镉汞,消除了碲镉汞体内的组份梯度。密封容器中,单一组元的蒸汽压值保持在低于碲镉汞晶......
我们取消了τ_n=τ_p的条件,取消了无限吸收的限制,考虑了表面复合,得到了本征光导器件探测率D_4的表达式。 在本文得到的D公式中,......
Hg_(1-x)Cd_xTe是窄禁带半导体材料,适于制备高质量的本征光电导红外探测器,而且可以通过控制x值,分别制备出响应波段在1～3μm,3～5......
本文的目的是要将非本征和本征红外光电导探测器的最终性能极限(以峰值光谱探测率D_(λp)＊表征的)作一比较。分析表明如下:(1)对于......
本文主要叙述利用碲溶剂法生长的Hg_(0.805)Cd_(0.195)Te晶体材料制备成8～14微米的光电导探测器样品。通过适当的表面处理并逐渐减......
一、引言多年来,非本征锗光电导体(即掺Au、Cd、Cu、Hg和Ge)在探测4～40微米红外辐射方面占有重要地位。由于半导体工艺取得了新进......
用外延生长技术已制备了单晶硫化铅光伏元件和光电导薄膜。光伏元件的光谱响应用在刚短于PbS禁带宽度的波长处的尖峰表示。光导薄......
