本征电容相关论文
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）是现代微波电路的重要器件,AlGaN/GaN HEMT电容模型对准确预......
ａ－ＳｉＴＦＴ栅源电容Ｃｇｓ不仅为栅源电极交叠所产生的寄生电容Ｃｇｓｐ，还应包括栅电极与源端沟道间的本征电容Ｃｇｓｉ，用缓变沟道近似模型推导了Ｃｇｓｉ的表达式。通过对象......
