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栅极驱动损耗相关论文
增强型GaN MOSFET与Si MOSFET在单相全桥逆变器中的性能比较
为分析宽禁带半导体器件GaN MOSFET与Si MOSFET栅极驱动损耗、开关损耗的成因及关联参数,利用单相全桥逆变拓扑结构搭建功率开关器......
期刊
单相全桥逆变器
宽禁带
增强型GaN MOSFET
开关损耗
栅极驱动损耗
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