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VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为20 V......
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