针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI（PSOI）横向双扩散MOSFET（LDMOSFET）进行了结构优化分析，发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层......

作为开关管使用的高压大电流LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)在版图上通常设计为叉指状结构。然而在源叉指末端的小曲率半......

在工作频率进入吉赫兹以后,非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的重要因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三......