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横向异质外延过生长相关论文
Ⅲ族氮化物高质量外延材料及其新型功率器件研究
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料已经开始广泛应用于发光器件和电子器件,这都得益于氮化物材料外延技术的进步和器件结构及其工......
学位
横向异质外延过生长
图形化
高电子迁移率晶体管
表面氧化
AlN势垒
AlN/GaN超晶格
AlGaN沟道
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