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对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究。结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的......
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广......
本文围绕GaN材料的金属有机物化学气相淀积（MOCVD）和横向外延过生长（LEO）展开，首先以常规的MOCVD两步生长法为切入点，并在此基础上进行了......
