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一种5~20GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器
设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶......
期刊
衰减器
步进式衰减器
CMOS开关
低插入损耗
低相位误差
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