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氢化的硅(100)表面相关论文
用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响
本文采用经验紧束缚近似方法研究了SiH2在Si(100)-c(4×2)表面单空位处的吸附结构、0.5ML覆盖率氢化的硅表面结构以及附加硅原子在H-te......
学位
氢化的硅(100)表面
经验紧束缚近似
沉积扩散
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