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用于VLSI的注入氮化物特性
本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中......
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氧化掩模
注入能量
能量范围
氮化层
退火过程
氮化硅
波长数
氧化层
浓度分布
LPCVD
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