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氧化诱生堆垛层错相关论文

SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响

以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛......

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硅晶片干法喷砂背面软损伤粒径氧化诱生堆垛层错 silicon waferdry blastingbackside damagegrain sizeoxi

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