氧化锌微结构相关论文
本文研究微结构的一般理论与方法以及在此基础上的改进分离微晶-层错宽化效应的最小二乘法,详细的研究了纳米级的ZnO的微结构(平均......
氧化锌(ZnO)作为一种新型半导体材料,具有较高的禁带宽度,禁带宽度达到3.37eV。同时这种材料具有优良的光学性能,激子束缚能达到60......
ZnO是一种禁带宽度为3.37eV的n型半导体氧化物，具有良好的电子迁移率和化学稳定性。近年来，基于ZnO气体传感器的研究引起了广大研究......
