氮化铟镓相关论文
高质量、高In组分InGaN/GaN量子阱生长是实现长波长发光器件的关键问题.由于InGaN与GaN材料的最佳生长温度不同,如果GaN垒层采用较......
Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrat
In this paper,the enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown on patterned sapphire substr......
We report the enhancement of the light extraction of InGaN-based green light emitting diodes (LEDs) via the interface na......
近年来，Ⅲ-Ⅴ族材料成为了光伏应用中极为有潜力的材料系统。相比于其他光伏材料，Ⅲ-Ⅴ族材料特性主要包括大的载流子迁移率，高吸收率......
热电材料是一种通过材料内部载流子的电输运和声子的热输运来实现热能和电能直接转换的功能材料。GaN及其合金凭借其禁带宽度较大......
学位
随着人类社会进入信息化社会，信息量飞速增长。为适应生活的需求以及时代的要求，以半导体为代表的材料和器件迅速发展，遍及人类生活的......
制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结......
欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光．标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW．发射波长为515......
InGaN/GaN MQW 结构被 MOCVD 种。InGaN/GaN MQW 的光、结构的性质上的生长打断时间的效果被调查。试验性的结果证明生长打断能改......
常见的LED是由无机材料制成，底层是提供电子的n—type半导体，顶层的p-type半导体层则提供空穴，在适当的外加电压下，电子与空穴会复合而......
瑞典研究人员已公布了一项计划，准备制造能发射线性偏振光的量子点。林雪平大学的AndersLundskog及其同事通过在基部已加长的微型六......
以InGaN材料作为有源区制备的氮化物基发光器件,其发光波长可以覆盖整个可见光范围,具有丰富的市场需求与广袤的应用前景,如发光二......
在近年来的半导体材料发展中,Ⅲ族氮化物在其中扮演了重要的角色。其中的GaN已经被广泛应用,而同族的InN的研究热潮正在掀起。InN......
当目标物尺寸小至5 nm后,在EDS成分分析时,样品中被散射的电子束会激发邻近材料的讯号,导致原分析区域内某些特定元素测得的成分浓......
