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注F^＋NMOSFET的电离辐照与退火特性

比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入......

期刊

辐照注F′ NMOS 阈电压退火可靠性 Irradiation F+ implantation NMOS Threshold voltage A

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