本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向......

处于准同型相界(MPB)附近的0.80Na0.5Bi0.5TiO3–0.20K0.5Bi0.5TiO3 (BNT-BKT20)是一种具有潜在应用前景的无铅压电/铁电薄膜材料......

Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)薄膜具有介电系数高、介电损耗低、居里温度可调以及热释电性高等优点,在超高密度集成的动态随机存储器(DR......

BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储......

铁电存储器由于其具有非易失性、抗辐射性、高可靠性等优点而可以广泛应用到军事和生活的各个领域，但是它还存在着很多的缺点。失效......

以方形的三维沟槽探测器结构为研究对象，通过对器件的仿真，模拟探测器在不同辐照下的漏电流电学特性.......

自杂化非本征铁电体（HIF）被发现以来,具有RP结构的杂化非本征铁电体便引起广大科研者的格外注目。Ca3Ti2O7属于RP家族中的一员,具有R......