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混晶GaAs1—xPx:N(x=0.4)中的Nx和NГ发光带的研究
本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶GaAs1-xPx:N(x=0.4)中的Nx和NГ发光带进行了研究。在选择激发条件下,实验未观察到混晶GaAs1-xPx:N(x=0.4)中NГ→Nx的带......
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