物理气相传输法相关论文
随着新能源、通信、轨道交通、航天航空等领域的快速发展,半导体产业扮演着越来越重要的角色。氮化铝（Al N）凭借其直接带隙、宽禁带......
作为第三代半导体材料,氮化铝（AlN）和六方氮化硼（hBN）在光电子和微电子领域具有极大的应用前景。但是由于其独特的物理化学性质,大尺寸......
氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.02 eV）化合物半导体,其具有优异的声光学性质和电学性质,在光电子器件领域有着巨大的发展前景。但目前......
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征......
氮化铝(AlN)晶体是新型宽禁带半导体材料的典型代表,具有6.2eV的直接带隙、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力......
借助专业长晶模拟软件FEMAG和自主开发的对流、传质、过饱和度及生长速率预测等有限元模块研究了物理气相传输法（PVT）同质外延生长氮......
使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件以及自主开发的PVT法有限元传质模块对全自动、双电阻加热物理气相沉积炉开展了AlN晶体生长工艺过......
物理气相传输(PVT)法是生长大尺寸、高质量有机晶体的常用方法，得到的晶体通常具有厚度薄，表面平滑等特点。同时PVT法生长晶体在......
碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年......
根据物理气相传输法(PVT)AlN晶体生长特点及工艺要求,自主设计了AlN晶体生长炉及其配套热场。FEMAG软件热场模拟结果表明,自主设计......
ZnPc纳米带是利用物理气相传输法生长的,其长度大约为20-150微米,宽度几十纳米到几微米.利用高结晶的ZnPc纳米带在OTS修饰后的......
采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛......
采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度......
4H-SiC因其载流子迁移率在各种α-SiC同质异晶型中最高而成为开发SiC电力电子器件的主要材料。然而，由于其生长条件比较苛刻，采用PVT......
氮化铝(AlN)晶体是一种优良的直接带隙宽禁带(6.2eV)化合物半导体材料，在光电子领域，是一种理想的紫外光电子器件材料。同时氮化铝晶......
本论文对物理气相传输法(PVT)法制备的碳化硅(SiC)单晶的主要缺陷进行了系统研究，旨在认识SiC单晶中各种缺陷的形成、发展、分布规......
作为极具发展前景的宽禁带半导体材料，碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率以及化学稳定性，在高温、高频、高功......
作为一种先进的宽带隙半导体材料,氮化铝具有许多优良的物理化学性能,在未来电子信息产业中具有重要的作用,尤其是在微电子和光电......
半导体照明行业已形成数百亿美元的产业规模,其中SiC衬底材料具有非常优异的性能,特别适合制造低能耗、大功率、长寿命的照明器件.......
研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术。通过对生长温度和压力的调控，获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须。柱状晶须长......
采用物理气相传输（PVT）法生长了2英寸（1英寸=25.4 mm）锗氮（Ge-N）共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm′10 mm的SiC晶片。利用......
通过物理气相传输（PVT）法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2......
氮化铝作为重要的Ⅲ-Ⅴ族超宽带（6.2ev）化合物半导体材料,具有高熔点、高热导率、高击穿场强等诸多优异的物理化学性质,在深紫外发光......
利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量......
氮化铝（AlN）作为第三代宽禁带半导体材料,具有高禁带宽度（6.2 e V）、高热导率（340 W/（m?K））、高击穿场强（11.7 MV/cm）、良好的紫外透过率、化......
人类社会步入21世纪以来,以半导体为核心的光电信息技术经历了爆炸式增长,这不仅改变了人们的生活方式,也为社会经济带来蓬勃的生......
AlN是一种直接带隙宽禁带半导体,禁带宽度为6.02 e V,是制作深紫外光电器件的理想材料。此外AlN与Ga N具有十分相近的晶格常数和几......
采用物理气相传输(PVT)法在AlN原料表面自发生长出大量毫米级尺寸的AlN单晶。本文对该工艺下AlN单晶的自然形貌、极性、杂质含量等......
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本文回顾了碳化硅单晶材料的发展历程和研究现状。主要讨论了物理气相传输法、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法等SiC晶体生长方......
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<正>一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材......
采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标。对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质......
使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-Si C晶体。使用二次离子质谱(SIMS)、拉曼......
为了分析物理气相传输法碳化硅单晶生长系统中的温度分布,采用Matlab软件对PVT工艺中的热场进行了模拟。以能量方程为基础分析了由......
本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内......
作为第三代宽带隙半导体材料，碳化硅(SiC)具有的宽带隙、高热导率、高饱和电子迁移率及优异抗辐射能力等优异性能，在高温、高频、高......
采用物理气相传输法（PVT）制备了2英寸Ge掺杂和非掺Si C晶体,并使用二次离子质谱仪（SIMS）、显微拉曼光谱（Raman spectra）仪、体式显微镜、......
