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本文研究了气压对热丝化学气相沉积金刚石薄膜沉积温度的影响。扫描电子显微镜（SEM）结果表明，同常规热丝化学气相沉积的气压（5．32kPa）相......
采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。......
采用拉曼光谱技术分析了不同生长气压和碳源浓度下,硅基HFCVD硼掺杂金刚石薄膜中的残余应力,并使用光刻和反应离子刻蚀技术加工出......
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