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光催化半导体Ag_2ZnSnS_4的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,对光催化水解半导体Ag2Zn Sn S4的改性方案做了理论研究.在与同类化合物的带边位置比较后......

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光催化光催化半导体 Ag_2ZnSnS_4 半导体 Ag2ZnSnS4 带阶催化水解电子结构优化带边第一性原理

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