电平位移电路相关论文
Si C MOSFET在高压大功率领域中具有优良的特性,如开关速度快、损耗低以及优异的高温特性等特点,其在汽车电子、绿色能源以及工业......
伴随着对清洁能源需求的增长,采用48V/12V开关电源驱动的轻混合动力汽车逐渐成为汽车厂商节约成本和响应国家政策的平衡方式,其中4......
近年来,能源使用效率的提升逐渐成为环境保护的重要一环。而为了提升电能的使用效率,必须对电能的传输路径进行结构优化。由于电能......
增强型GaN器件凭借着相比Si功率器件更低RON,支持更高电压、更高开关频率的特性,在数据中心电源等高频高功率密度应用中具有显著优......
介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增......
提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、......
在小型化、高能效的供电电源需求下,高频高功率密度功率转换方案逐渐成为研究和应用的热点,而第三代功率半导体GaN因可处理更高频......
