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电流增益值相关论文
基于标准0.35μm工艺的SiGe:C HBT器件结构及应用研究
短短几年的发展,随着4G商用的成熟,5G的商用也即将展开序幕,通讯业的高速发展,对于现代集成电路与器件有了更高的要求,普遍要求高......
学位
SiGe:C HBT
电流增益值
特征频率
浮空埋层
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