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基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路
随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N......
期刊
静电放电(ESD)
部分绝缘体上硅(PD SOI)
栅耦合NMOS
电源箝位
保护电路
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