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电磁脉冲应相关论文

电磁脉冲应力下MOS器件退化失效建模

通过分析电磁脉冲应力下，栅氧化层软击穿（MOS器件主要失效模式）的失效机理，得出结论：它符合基于随机过程的退化失效模型。根据此结论＋提......

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栅氧化层软击穿随机过程模型动态应力-强度干涉模型退化失效电磁脉冲应 gate oxide soft breakdown stochastic proc

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