界面质量相关论文
在原子层沉积系统中采用远程氧等离子体原位预处理Ge表面生成一层高GeO2含量的GeOx钝化层,随后沉积0.5nm氧化铝和3nm氧化铪高k介质......
混凝土内钢筋锈蚀机理和锈蚀速度的研究是工程结构可靠性研究的重要内容之一。本文采用线性极化的电化学方法对氯盐环境下混凝土内......
本文研究通过在Mg/Si多层膜引入Mo或SiC阻隔层的界面工程法来提高多层膜的光学性能。采用磁控溅射法镀制多层膜,X射线和极紫外反射......
在780~980℃的温度下对TC21钛合金进行5~90min的扩散连接,研究接头的界面结合率、变形率、微观组织及微观硬度。结果表明,在连接温度......
采用CO2激光器在A3钢表面制造Stellite X-40合金熔覆层,通过调节聚焦镜的高度,研究了离焦量对熔覆层形貌和质量影响。研究表明,随着离......
在高新技术企业技术创新的过程中,研究与开发部门、市场营销部门是两个非常重要的职能部门.这两个部门的绩效水平与相互关系(即R&D ......
利用Ar溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温ZnS介质薄膜的生长。在同一HgCdTe表面分别用ZnS介质膜、HgCdT
e自身阳极氧化膜进行表......
利用Ar束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明:这里得到的cdTe/HgCdTe界面质......
硅异质结太阳电池由于具有高效低成本的特点而在国际光伏市场上倍受关注。由于硅异质结太阳电池的非晶硅/晶体硅(a-Si∶H/c-Si)界......
该文就SiO/SiC界面质量对n沟SiCMOSFET性能的影响做了深入的研究:从碳化硅材料的晶体结构出发分析了碳化硅材料中杂质的不完全离化......
在本研究中,我们介绍了机械化学强化回收碳纤维的特性.本研究的目的是探讨改良的再生方法对再生纤维界面性能的影响.对增强塑料进......
利用包覆挤压方法成功制备了不同芯棒根数(一根、三根、五根)的MgMB26/Al7075双金属复合棒材。重点研究了不同芯部根数对Mg/Al双金......
在平板阴极和点阴极方式做阳极键合时,时间-电流特性、键合速度、结合界面质量等都有所不同.通过建立力学和电学模型,分析了不同阴......
探讨了利用微细晶超塑性实现W6Mo5Cr4V2钢和45钢的扩散连接的可行性及影响因素。通过电镜分析以及界面处显微硬度等的测试,对超塑性连接接头及其......
采用挤压铸造工艺参数量优化,纤维表面涂层等手段,研究CF/Al复合材料界面质量控制和提高复合材料强度的效果,碳纤维和涂覆SiC的碳纤维增强Al-10Si复合......
在本研究中,我们介绍了机械化学强化回收碳纤维的特性。本研究的目的是探讨改良的再生方 法对再生纤维界面性能的影响。对增强塑料......
在780~980℃的温度下对TC21钛合金进行5~90min的扩散连接,研究接头的界面结合率、变形率、微观组织及微观硬度。结果表明,在连接温度......
采用热电偶测温和金相观察等手段,分析铜钢熔敷焊焊接过程中各个位置温度变化对熔敷层结合部位的影响,研究了良好结合层与对应温度之......
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探讨了利用恒温超塑性实现W6Mo5Cr4V2钢和451风的扩散焊接的可行必琢影响因素。通过电镜分析以及蜀机处显微硬度等的测试,对超塑性焊接接头及其界......
流程管理的目标是通过对企业内部运作环节及运作模式的改变,提高企业与外部环境的接触界面质量,增强企业的运作效率,降低内部消耗......
采用溅射法淀积一层LaON薄膜作为钝化层,制备了HfTiO栅介质Ge MOS电容,并对它们的电特性进行了仔细研究。HfTiO/LaON堆栈栅介质Ge ......
采用共反应溅射法将Ti添加到La2O3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti......
随着业界前端水平和产品需求层次的不断发展,开发人员的工作已不仅仅局限于职位本身,而开始向解决沟通成本和把握界面质量的方面演进......
随着集成电路的持续发展,MOSFET器件性能亟需进一步的改进提高,高迁移率沟道材料(如Ge和III-V族化合物半导体)代替传统Si衬底为器......
探讨了利用恒温超塑性实现W6Mo5Cr4V2钢和 45钢的扩散焊接的可行性及影响因素。通过电镜分析以及界面处显微硬度等的测试 ,对超塑......
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这......