为配合中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH瞬态辐照实验,开发了一套检测内部数据存储器(RAM)的汇编程序和记录分析结......

在进行瞬时辐射效应实验时，多路同步触发系统是在快中子脉冲堆爆发脉冲时向测试仪器提供同步触发信号的装置，主要由闪烁探测器和触发......

采用MEDICI软件，用电流注入和X射线辐照两种方法，对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟，研究了闩锁闽值与脉冲宽度的关系；将计......

<正> 本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅......

VDMOS是功率电子的重要基础,作为功率开关,VDMOS器件以其高耐压、低导通电阻等特性常用于功率集成电路和功率集成系统中。VDMOS器......