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砷化锗镉晶体相关论文

黄铜矿半导体砷化锗镉晶体的生长和密度泛函理论研究

砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5.5μm有较......

学位

砷化锗镉晶体水平梯度冷凝法缺陷密度泛函理论能带结构

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析（英文）

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计......

期刊

砷化锗镉晶体密度泛函理论弹性性能电子性能

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