硅化钛相关论文
以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉......
介绍了一种硅化钛双层多晶硅自对准工艺技术。它是在双层多晶硅自对准技术基础上，采用薄外延和高压氧化形成器件制作区域，利用快速退......
形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,......
研究了原位生成ＴｉＣ／Ｔｉ５Ｓｉ３纳米复合材料的显微结构．实验结果表明，以ＳｉＣ和Ｔｉ 为原料，通过反应热压工艺可以原位合成ＴｉＣ／Ｔｉ５Ｓｉ３复合材料，其中的大部分ＴｉＣ粒子为纳 米粒......
形成硅化物的技术有多种：蒸发，溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成ＴｉＳｉ２，通过实验，得出了ＣＭＯＳ自对......
本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的MOS器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等......
本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工......
用大束流密度的钛金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钛生长，薄层硅化物的薄层电阻明显下降，当束......
过去10年里,发表了许多有关催化剂硅化钛能稳定地加快以H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>作氧化剂从丙烯制氧化丙烯的氧化反应的研究成......
本文报道的研究结果表明,PECVD硅化钛膜的组份强烈地依赖于SiH_4/Ar流量比;其结构的稳定性随退火温度和时间的增加而增加;其腐蚀特......
The formation mechanism of stoichiometry Ti5Si3 by mechanical alloying (MA) from elemental powders has been investigated......
Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化......
在这篇文章中报导了多层Ｓｉ／ＴｉＳｉ２－Ａｌ和Ｓｉ／ＴｉＳｉ２（ＴｉＮ）－Ｗ－Ａｌ系的研究情况。在研究过程中应用了透射电子显微镜，Ｘ射线微一分析和卢瑟夫反向散射波谱学法来多层膜系的形......
用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的......
本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质......
要成功地把自对准硅化钛工艺用于重复性好、成品率高的器件制作过程中,就必需把硅化物工艺引起结漏电减至最低程度。研究了硅化钛......
运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应......
高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线......
本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源......
在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求......
场板的制备工艺与特性研究对提高RFLDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种“Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金......
为了提高钛合金的干滑动磨损耐磨性能,以Ti-Si-Ni混合合金粉末为原料对BT9钛合金进行激光熔敷处理,制备出以金属间化合物Ti5Si3为......
随着VLSI工艺技术的深入发展，一些与形貌相关的问题逐渐成为了制约其发展的主要因素，微细线条光刻中聚焦深度限制、条宽控制、溅射沉......
本文研究了快速热处理(RTP)工艺在形成硅化钛过程中氮化钛生长的可能性,并用方阻测试仪、Auger能谱分析等手段分析了该结构的电学......
随着纳米科技的发展和微电子装置的小型化，以纳米线为基块来制备纳米电子和光电子器件引起了广泛注意。由于硅化钛已在微电子器件中......
通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SO......
研究了原位生成ＴｉＣ／ＴＩ５Ｓｉ３纳米复合材料的显微结构，实验结果表明，以ＳｉＣ和Ｔｉ原料，通过反应热压工艺可以原位合成ＴｉＣ／Ｔｉ５Ｓｉ２复合材料，其中的大部分ＴｉＣ粒子为纳米粒子，ＴｉＣ晶......
硅化钛具有低电阻率、较高的热稳定性以及化学稳定性等诸多优异的性能,且由于其可以与硅工艺兼容而具有重要的研究价值。自1991年......
