硅微波脉冲功率晶体管相关论文
南京电子器件研究所最近研制成功L波段250 W宽带硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.2～1.4 GHz 频带内,脉宽150 μs,占空比10%和40 V工......
期刊
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的......
