硅扩散相关论文
金硅共晶键合中硅扩散的驱动力被认为来自金的催化作用,黏附层(Ti/Ni/Cr)一般被添加在硅衬底与金层间来保证连结,事实上共晶形成温......
采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶......
以同型号石英和玻璃管为衬底材料,在650℃高温下制备不同掺杂的SnO2电热薄膜,测量电阻随温度的变化曲线,工艺实践验表明:单纯SnO2......
In this paper an optically-powered optical fiber sensor for pressure mea-surement is introduced.Differential strain gaug......
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCV......
以石英管作为衬底材料,以SnCl4、SbCl3的混合乙醇溶液作为喷涂液,在600～620 ℃高温下用化学热喷涂法在石英管表面制作SnO2电热膜.工......
本发明的目的在于提供一种具有与ITO膜同等水平的电极电位、不存在硅扩散、电阻率低、耐热性优异的铝合金薄膜。本发明的含碳铝合......
本文采用化学溶液沉积（ＣＳＤ）工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２铁电薄膜，这种薄膜的Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）结果显示其具有较好的结晶性。运用Ｘ射线光电能谱仪（ＸＰＳ）对薄膜的结......
