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化学Ni源的金属诱导晶化多晶硅研究
用无电电镀的方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.......
会议
化学
金属
诱导晶化
非晶硅薄膜
多晶硅
微米量级
器件特性
镍诱导源
晶粒尺寸
电镀
薄膜表面
前驱物
镍溶液
密度比
硅晶粒
退火
试制
浓度
膜上
晶核
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