实验研究了硅表面清洗方式对７ｎｍ热氧化ＳｉＯ２栅介质可靠性的影响。结果表明，稀ＨＦ酸漂洗后ＲＣＡ清洗时降低ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）温度对提高栅介质可靠性有利，但仍不如用ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ／Ｈ２Ｏ）或Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２清......