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离子型阻变相关论文
几种金属氧化物纳米结构阻变行为的电场调控研究
忆阻器因其结构简单、集成度高、器件功耗低、擦写速度快且制备工艺与当前的CMOS工艺兼容等优点,被视为下一代非易失性存储器中最......
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TaO_x基阻变存储器性能及低功耗特性优化
大数据、区块链等新兴产业对数据存储的需求主要为非挥发性存储器(Non-volatile Memory),目前市场主流以闪存(Flash)和硬盘(Hard D......
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离子型阻变
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