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智能剥离SOI制备工艺研究
采用改进的RCA清洗工艺,首次提出了积聚式缓慢退火剥离方法成功地制备了3英寸智能剥离SOI结构,比较分析了不同的清洗和退火工艺对剥离后形成......
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智能剥离SOI材料的制备过程研究
用积聚式缓慢地退火方法在较低的温度下(390℃)成功地获得了用智能剥离技术形成的SOI结构。用红外透射成象技术分析了智能剥离的准......
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