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Ag掺杂ZnO稀磁特性的第一性原理研究

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ZnO基稀磁半导体第一性原理稀磁性质电子结构居里温度

氮化铝掺杂的第一性原理研究与体单晶的制备

氮化铝(Al N)晶体作为第三代半导体材料的典型代表,是发展新型光电器件的理想材料。由于大尺寸、高质量的Al N体单晶材料难以制备,......

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氮化铝第一性原理计算 p型掺杂稀磁性质光学性质

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