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等效SiO2介电层厚度相关论文

高k值HfO2栅介质材料电学特性的研究进展

随着Si-MOS集成电路的迅速发展，高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备......

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高介电常数 HFO2栅介质等效SiO2介电层厚度电学特性 high dielectric constant HfO2 gate dielectric E

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