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纳米摩擦性质:扫描隧道显微镜相关论文
Si(111)-7×7表面上C60多层膜的生长及其纳米摩擦学性质
在超高真空(UHV)条件下,用分子束外延(MBE)方法,通过对生长过程中蒸发速率和衬底温度等参数的控制,可以避免C60分子在Si(111)-7×7重构......
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