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线性化偏置电路相关论文

X波段SiGe BiCMOS功率放大器设计

采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体(Bi CMOS)工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和......

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SiGe BiCMOS 功率放大器共基放大电路线性化偏置电路 SiGe 级间匹配功率附加效率偏置电路线性化结温

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