绝缘体上相关论文
由于SOI材料中绝缘埋层(BOX)的存在,使得SOI器件抗总剂量辐射能力不足,并且静电放电问题也较为严重,这两方面问题严重制约了SOI技术在......
学位
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上......