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背沟道保护层相关论文
AOS TFT稳定性分析及溶胶凝胶法制备AOS材料的初步研究
近年来颇受瞩目的非晶氧化物半导体(AOS)薄膜晶体管,相对传统的非晶硅TFT和LTPS TFT,它的迁移率可达10cm2/Vs,并且由于其本身就是非晶......
学位
非晶氧化物半导体
稳定性
背沟道保护层
重金属阳离子
氧空位
溶胶凝胶法
氧化铝薄膜
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