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脉冲金属有机物化学气相淀积相关论文
PMOCVD生长InAIN的计算流体动力学模拟研究
当In含量为17.6%时,InAlN晶格可与GaN晶格实现晶格匹配无应力状态,因此可避免由于晶格失配产生的一系列问题。但是由于InN和AlN两种......
学位
铟铝氮
脉冲金属有机物化学气相淀积
计算流体动力学
FLUENT模拟
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