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衬底氮化处理相关论文
m面InGaN/GaN非极性LED的研制
近年来GaN基Ⅲ族氮化物LED等光电子器件研究取得了长足的进步,目前在α-Al2O3和SiC等衬底上制作的LED器件已经实现了商业生产。但在......
学位
GaN基Ⅲ族氮化物
光电子器件
非极性LED器件
发光效率
缓冲层生长温度
衬底氮化处理
外延生长
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