提出了一种新的薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ（降低表面电场）结构，称为多漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构。以双漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构为例给出了基于二维Ｐ ｏｉｓｓｏｎ方程的角析物理模型。利......

本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的值电压解析模型，并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、ＤＩＢＬ、相......